発光素子及び発光素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐野静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007316006
Publication number (International publication number)：2009141132
Application date： Dec. 06, 2007
Publication date： Jun. 25, 2009
Summary：

【課題】本発明は、共振器端面を保護することにより歩留まりの向上を図った窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、六方晶から成る窒化物半導体を用いたレーザチップ1の光を出射する側である第1共振器端面Aに、-c面を用いる。さらに、この-c面である第1共振器端面Aに対して端面保護膜14を形成する。そのため、第1共振器端面Aと端面保護膜14とが強固に結びつき、第1共振器端面Aの劣化が抑制される。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板上に、六方晶の窒化物半導体から成る積層構造を備える発光素子において、前記積層構造が、前記窒化物半導体がc軸と略垂直な方向に積層されて成り、前記積層構造を形成する前記窒化物半導体のN極性の面が表出する第1端面に、第1保護膜が設けられるとともに、前記第1端面と反対側の第2端面に、前記第1保護膜よりも反射率の高い第2保護膜が設けられることを特徴とする発光素子。

IPC (1)：

H01S 5/22

FI (1)：

H01S5/22

F-Term (12)：

5F173AA08 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AL04 , 5F173AL05 , 5F173AL13 , 5F173AL14 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP82 , 5F173AR68 , 5F173AR93

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

窒化物系半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-240084 Applicant：三洋電機株式会社
III族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-035549 Applicant：ローム株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-060594 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (9)

窒化物系半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-240084 Applicant：三洋電機株式会社
III族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-035549 Applicant：ローム株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-060594 Applicant：日亜化学工業株式会社

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