窒化物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007017547
Publication number (International publication number)：2007273953
Application date： Jan. 29, 2007
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】高出力駆動時の信頼性を向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】光出射部にアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの酸窒化物からなる第1コート膜が形成され、第1コート膜上にアルミニウムの酸化物からなる第2コート膜が形成されており、第2コート膜の厚さが80nm以上1000nm以下である窒化物半導体発光素子である。ここで、第1コート膜の厚さは6nm以上200nm以下であることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光出射部にアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの酸窒化物からなる第1コート膜が形成され、前記第1コート膜上にアルミニウムの酸化物からなる第2コート膜が形成されており、前記第2コート膜の厚さが80nm以上1000nm以下であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 , H01S 5/16

FI (2)：

H01S5/323 610 , H01S5/16

F-Term (10)：

5F173AA08 , 5F173AB75 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AL04 , 5F173AL13 , 5F173AL14 , 5F173AP76 , 5F173AP78 , 5F173AR68

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-034910 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-191614 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (10)

光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-100248 Applicant：キヤノン株式会社
半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-295846 Applicant：三菱電機株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-095038 Applicant：株式会社日立製作所

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