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J-GLOBAL ID：200903081620089708

半導体レーザ

Inventor：
鴫原 君男

About 鴫原 君男


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998035732
Publication number (International publication number)：1999233883
Application date： Feb. 18, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：
【要約】【課題】 上クラッド層のリッジ部とリッジ部の外側部分との屈折率差によって生じる幅方向の屈折率分布が導波光に対して与える影響が小さくし、キンク発生の原因である高次モードの発生を防ぐことを課題とする。【解決手段】 厚さ方向の屈折率分布が活性層7aから見て非対称形となるよう、基板2側のn-AlGaAs下クラッド層10aの厚さ及び屈折率を、リッジ側のp-AlGaAs上クラッド層4aよりそれぞれ厚くかつ大きくなるようにした。
Claim (excerpt)：
第1導電型半導体基板と、該第1導電型半導体基板上に配置されており、屈折率が基板から離れるにつれて増加する第1半導体層と、該第1半導体層上に配置された活性層と、該活性層上に配置されており、屈折率が上記活性層から離れるにつれて減少する、その上部がリッジ形状を有する第2半導体層とを備え、上記半導体基板の高さ方向において、光強度分布が上記活性層を中心として基板側にシフトするように、上記活性層から見たリッジ形状側と基板側との屈折率分布を非対称となるようにしたことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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