Pat

J-GLOBAL ID：200903082176667682

半導体ウェーハの製造方法

Inventor： 曲 偉峰 ,  木村 雅規
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000358783
Publication number (International publication number)：2002164520
Application date： Nov. 27, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】 比較的単純な積層構造にもかかわらず、電子の移動度を高めるのに十分な格子歪みを有し、かつ、結晶欠陥の少ないSi層を有する半導体ウェーハを簡便な製造プロセスにより製造することのできる半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 第1のシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長する工程と、該SiGe層の表面と第2のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第2のウェーハと結合された該第1のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するSi層を露出させる工程と、を有するようにした。

Claim (excerpt)：

第1のシリコン単結晶ウェーハの表面にSiGe層をエピタキシャル成長する工程と、該SiGe層の表面と第2のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第2のウェーハと結合された該第1のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するSi層を露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体基板の製造方法およびこれにより製造された半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-357158   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-338876   Applicant：株式会社東芝
• 疑似基板構造体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-246426   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体材料薄膜の製造のための改良型スマート・カット・プロセス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-237751   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Oxidation studies of SiGe"