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J-GLOBAL ID:200903082562023862
弾性表面波素子およびその製造方法ならびにそれを用いた弾性表面波デバイス
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000166359
Publication number (International publication number):2001060846
Application date: Jun. 02, 2000
Publication date: Mar. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】 素子分離後の取り扱いが容易で欠陥の少ない弾性表面波素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】 圧電性材料からなる第1の基板101と第1の基板101とは異なる材料からなる第2の基板102とが積層された積層基板103と、第1の基板101上に形成された櫛形電極104とを備える。積層基板103の第1の基板101側の周縁部には、段差部106が形成されている。
Claim (excerpt):
圧電性材料からなる第1の基板が前記第1の基板とは異なる材料からなる第2の基板上に積層された積層基板を備える弾性表面波素子であって、前記第1の基板の一主面上に形成された少なくとも1対の櫛形電極を備え、前記積層基板の前記第1の基板側の周縁部には、段差部または切り欠き部が形成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
IPC (2):
FI (3):
H03H 9/25 D
, H03H 9/25 C
, H03H 3/08
F-Term (7):
5J097AA24
, 5J097AA34
, 5J097EE01
, 5J097EE08
, 5J097FF01
, 5J097HA03
, 5J097KK09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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端面反射型表面波共振子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-106861
Applicant:株式会社村田製作所
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弾性表面波素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-259104
Applicant:松下電器産業株式会社
-
特開平2-186662
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特開平4-099607
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半導体チップ製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-078878
Applicant:株式会社東芝
-
表面弾性波素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-071586
Applicant:松下電器産業株式会社
-
弾性表面波デバイスの電極形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-182239
Applicant:松下電器産業株式会社
-
SAWフィルタ素子及び電極形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-145048
Applicant:東洋通信機株式会社
-
ダイシングブレード、前記ダイシングブレードを使ったダイシング方法、および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-277757
Applicant:富士通株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-214856
Applicant:株式会社東芝
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