電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997263093
Publication number (International publication number)：1998163180
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】プラズマエッチング等の処理の際に、ウエハに付着するパーティクルを低減することのできる電子デバイスの製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】チャンバー1内にプラズマ5を生ぜしめて、チャンバー1内の下部電極6上に設置された半導体基板7のドライエッチングを行う。下部電極6の上方に設置した石英天板10の下面の平均表面粗さRaを0.2〜5μmの範囲に仕上げておくことにより、石英天板10とドライエッチングで生じたデポ物21との密着性を高め、チャンバー1内に浮遊するパーティクルの数を低減する。しかも、石英天板10のクリーニング後もデポ物21の付着強化機能を保持することができ、極めてクリーンな雰囲気中で処理を行うことにより、半導体基板7上に付着する異物の数を低減することができる。

Claim (excerpt)：

被加工物に処理を施して電子デバイスを製造するための電子デバイスの製造装置であって、内部の雰囲気を上記被加工物を処理するための雰囲気に保持できるように構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配設され、上記被加工物を設置するための被加工物設置部と、上記チャンバーの天井部の内面に形成され、上記被加工物を処理する際に発生した生成物の付着を強化する機能を有し、かつその機能を天井部のクリーニング後にも維持できる平均表面粗さRaに仕上げられた微少凹凸部とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 , C23C 14/00 , C23C 16/44 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 B , C23C 14/00 B , C23C 16/44 J , C23F 4/00 A , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H05H 1/46 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

プラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-186383 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマエッチング用電極板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-282112 Applicant：日立化成工業株式会社
ECRプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-306666 Applicant：ソニー株式会社

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