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J-GLOBAL ID：200903083247571483

半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス

Inventor：
加藤 波奈子

About 加藤 波奈子

, 
森 寛

About 森 寛

, 
小林 博

About 小林 博


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 真田 有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006047276
Publication number (International publication number)：2007112975
Application date： Feb. 23, 2006
Publication date： May. 10, 2007
Summary：
【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。【解決手段】(1)固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、 (i)ピークトップの位置がケミカルシフト-40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.5ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、 (ii)ピークトップの位置がケミカルシフト-80ppm以上-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が1.0ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、(2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、(3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下である。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
(1)固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、 (i)ピークトップの位置がケミカルシフト-40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.5ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、 (ii)ピークトップの位置がケミカルシフト-80ppm以上-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が1.0ppm以上5.0ppm以下であるピーク からなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、 (2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、 (3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下である ことを特徴とする、半導体発光デバイス用部材。
IPC (5)：
C08G 77/16 ,  H01L 33/00 ,  C08L 83/06 ,  C08K 3/20 ,  C08G 79/00
FI (5)：
C08G77/16 ,  H01L33/00 N ,  C08L83/06 ,  C08K3/20 ,  C08G79/00
F-Term (58)：
4J002CP031 ,  4J002CQ031 ,  4J002DE096 ,  4J002DE136 ,  4J002DE146 ,  4J002DE186 ,  4J002DJ016 ,  4J002FD016 ,  4J002FD200 ,  4J002FD206 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J030CA02 ,  4J030CB03 ,  4J030CB18 ,  4J030CC05 ,  4J030CC15 ,  4J030CC16 ,  4J030CC21 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CE11 ,  4J030CF09 ,  4J030CG03 ,  4J030CG04 ,  4J030CG29 ,  4J246AA03 ,  4J246AB13 ,  4J246BA02X ,  4J246BA020 ,  4J246CA14X ,  4J246CA140 ,  4J246FA071 ,  4J246FA131 ,  4J246FA421 ,  4J246FA431 ,  4J246FA441 ,  4J246FA611 ,  4J246FB031 ,  4J246FB081 ,  4J246FC181 ,  4J246FE06 ,  4J246FE33 ,  4J246GA12 ,  4J246GA13 ,  4J246GC02 ,  4J246GC12 ,  4J246GC22 ,  4J246GC23 ,  4J246HA29 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA42 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 特許第3275308号公報
  • 発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-396258   Applicant：岡谷電機産業株式会社
  • 蛍光体層形成用液
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-434786   Applicant：株式会社槌屋
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Cited by examiner (3)

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