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J-GLOBAL ID：200903083426923724

強誘電体メモリおよびその製造方法

Inventor：
金原 隆雄

About 金原 隆雄

, 
五十嵐 泰史

About 五十嵐 泰史


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001297955
Publication number (International publication number)：2003100994
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：
【要約】【課題】 製造工程中に発生する水分から強誘電体キャパシタを保護し、十分なメモリ特性を有する強誘電体メモリを提供する。また、パッシベーション膜を形成する際に発生する水素による影響を低減させる強誘電体メモリおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1と、その上に形成された強誘電体キャパシタ7と、該強誘電体キャパシタ7を内包する第1層間膜3と、該第1層間膜3を挿通するメタル配線1Mと、を有する強誘電体メモリであって、前記第1層間膜3上に、水分拡散防止膜4が形成されていることを特徴とする強誘電体メモリである。また、上記強誘電体メモリを製造する方法であって、少なくとも第1層間膜上に、水分拡散防止膜を形成する工程を有することを特徴とする強誘電体メモリの製造方法である。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、その上に形成された強誘電体キャパシタと、該強誘電体キャパシタを内包する第1層間膜と、該第1層間膜を挿通するメタル配線と、を有する強誘電体メモリであって、前記第1層間膜上に、水分拡散防止膜が形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。
IPC (2)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/318
FI (2)：
H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 444 B
F-Term (19)：
5F058BA07 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BE01 ,  5F058BF13 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA55 ,  5F083NA08 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-181678   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-055552   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 窒化けい素薄膜の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242551   Applicant：信越化学工業株式会社
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