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J-GLOBAL ID：200903083566485204

微小異物の位置決め方法、分析方法、これに用いる分析装置およびこれを用いた半導体素子もしくは液晶表示素子の製法

Inventor：
藤野 直彦

About 藤野 直彦

, 
狩野 勇

About 狩野 勇


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994121314
Publication number (International publication number)：1995325041
Application date： Jun. 02, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 シリコンウェハなどの平面状試料の表面に存在する微小異物の存在位置を容易に検出し、分析、検査、評価、加工するための方法を提供する。【構成】 パーティクル検査装置のもつ座標上において位置が求められた微小異物7に対して、これを網羅する試料2表面上の範囲にビーム光6をスポット照射し、該微小異物7の位置を定め、分析装置のもつ機能を用いて選択的に表面観察、組成分析、表面加工などを行う。また、パーティクル検査装置で検出できないような微小異物に対しても、これにビーム光6をスポット照射し、該微小異物7の位置を定め、分析装置のもつ機能を用いて選択的に表面観察、組成分析、表面加工などを行う。
Claim (excerpt)：
パーティクル検査装置において試料表面の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた微小異物の位置を分析装置の座標ステージの座標と大まかに座標リンクし、該座標を含む該試料表面上の部分領域にビーム光をスポット照射し、該微小異物による前記ビーム光の変化を観察することにより該微小異物の位置を再度検出して前記分析装置の座標に該再度検出された微小異物の位置を登録する微小異物の位置決め方法。
IPC (2)：
G01N 21/88 ,  G01B 11/00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (17)
  • 異物観察装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-027797   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開昭57-197454
  • 特開昭63-091947
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