Pat
J-GLOBAL ID：200903083583766128

磁気トンネル接合素子、MRAM、STT-RAM、MRAMの製造方法、STT-RAMの製造方法

Inventor：
洪 成宗

About 洪 成宗

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童 茹瑛

About 童 茹瑛

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童 全鉅

About 童 全鉅

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ビトルド クラ

About ビトルド クラ


Applicant, Patent owner：
マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド

About マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド


Agent (2)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008281824
Publication number (International publication number)：2009111396
Application date： Oct. 31, 2008
Publication date： May. 21, 2009
Summary：
【課題】動作信頼性に優れたSTT-RAMに好適なMTJ素子を提供する。【解決手段】MTJ素子8は、AFM層11と、SyAFピンド層12と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のMgOを有するトンネルバリア層13と、フリー層14とを含む。フリー層14は、鉄もしくはFe (100-X)Bx(0<x≦5)からなる単層構造、または、Fe\CoFeB\Feの積層構造を有する。これにより、ギルバート減衰定数が減少し、伝導電子に対してスピン偏極がより強く促される。その結果、臨界電流密度が低減され、動作上の信頼性が向上する。抵抗のばらつきが小さくなるので、リードマージンを大きくすることができる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基体上に設けられた反強磁性層と、 前記反強磁性層の上に第1の強磁性層(AP2層)と結合層と第2の強磁性層(AP1層)とが順に積層された構造を有するピンド層と、 前記第2の強磁性層の上に設けられ、結晶質の酸化マグネシウム(MgO)を有するトンネルバリア層と、 前記トンネルバリア層の上に設けられ、鉄(Fe)もしくはFe (100-X)Bx(0<x≦5)からなる単層構造、または、前記トンネルバリア層の側から第1の鉄(Fe)層とコバルト鉄ボロン合金(CoFeB)層と第2の鉄(Fe)層とが順に積層されてなる積層構造を有するフリー層と を含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (3)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
F-Term (44)：
4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119AA08 ,  4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ02 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC22 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27 ,  5F092CA14 ,  5F092CA15 ,  5F092CA23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (8)
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