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J-GLOBAL ID：200903039805783566

磁気メモリ装置及びその製造方法

Inventor： 梅原 慎二郎 ,  ▲芦▼田 裕 ,  落合 隆夫 ,  佐藤 雅重 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 北野 好人 ,  三村 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006093404
Publication number (International publication number)：2007273493
Application date： Mar. 30, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁気シールド膜48と、磁気シールド膜48上に形成され、磁性層52と、非磁性層54と、磁性層56とを有し、スピンの注入により磁性層52又は磁性層56を磁化反転する磁気抵抗効果素子62と、磁気抵抗効果素子62の側壁部分に形成された第2の磁気シールド膜68とを有する。これにより、磁気抵抗効果素子62の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界が磁気抵抗効果素子62に達するのを効果的に防止することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の磁気シールド膜と、 前記第1の磁気シールド膜上に形成され、第1の磁性層と、前記第1の磁性層上に形成された非磁性層と、前記非磁性層上に形成された第2の磁性層とを有し、スピンの注入により前記第1の磁性層又は前記第2の磁性層を磁化反転する磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子の側壁部分に形成された第2の磁気シールド膜と を有することを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (3)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12

F-Term (47)：

4M119AA07 ,  4M119AA10 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD46 ,  4M119DD48 ,  4M119FF04 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119FF19 ,  4M119JJ16 ,  4M119KK18 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB09 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC01 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092CA08 ,  5F092CA20 ,  5F092FA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 磁気記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-352784   Applicant：株式会社東芝
• 磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-030340   Applicant：ソニー株式会社
• 環状体の製造方法および磁気記憶装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-048614   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-069194   Applicant：TDK株式会社
• 磁気メモリセルおよび磁気メモリアレイならびにそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-264384   Applicant：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド

Cited by examiner (3)

• 磁気記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-352784   Applicant：株式会社東芝
• 磁気メモリ及び磁気メモリ製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-359593   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気抵抗記憶素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-313271   Applicant：三星電子株式会社