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J-GLOBAL ID：200903083681800580

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 池田 圭司 ,  山下 良美
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002133056
Publication number (International publication number)：2003332259
Application date： May. 08, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 バンドギャップの大きな半導体にオーミック電極を形成したときの接触抵抗を低減させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 化合物半導体からなる半導体領域が露出した基板の半導体領域の表面上に、希土類金属からなる第1の膜を形成する。第1の膜の表面上に、主成分としてシリコンを含む第2の膜を形成する。第1の膜及び第2の膜を加熱して、第1の膜のうち少なくとも第2の膜に接する部分をシリサイド化する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体からなる半導体領域が露出した基板の該半導体領域の表面上に、希土類金属からなる第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜の表面上に、主成分としてシリコンを含む第2の膜を形成する工程と、前記第1の膜及び第2の膜を加熱して、前記第1の膜のうち少なくとも前記第2の膜に接する部分をシリサイド化する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00

FI (6)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/72 H ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F

F-Term (38)：

4M104AA04 ,  4M104BB19 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104HH15 ,  5F003BA92 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH07 ,  5F003BM03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CB11 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GL02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-104787   Applicant：松下電器産業株式会社
• 光放射ダイオード用の導電性電子注入器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-025673   Applicant：イーストマンコダックカンパニー
• 電極構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-164379   Applicant：シャープ株式会社
• III-V族窒化物系化合物半導体への電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-089394   Applicant：古河電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-192212   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体装置用電極構造の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-254700   Applicant：シャープ株式会社
• オーミック電極およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-192818   Applicant：ソニー株式会社
• 表示装置およびその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-273949   Applicant：カシオ計算機株式会社
• GaN系半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-032355   Applicant：古河電気工業株式会社

Cited by examiner (9)

• 窒化物系III-V族化合物半導体装置用電極構造の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-254700   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-104787   Applicant：松下電器産業株式会社
• 光放射ダイオード用の導電性電子注入器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-025673   Applicant：イーストマンコダックカンパニー
• 電極構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-164379   Applicant：シャープ株式会社
• III-V族窒化物系化合物半導体への電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-089394   Applicant：古河電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-192212   Applicant：シャープ株式会社
• オーミック電極およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-192818   Applicant：ソニー株式会社
• 表示装置およびその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-273949   Applicant：カシオ計算機株式会社
• GaN系半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-032355   Applicant：古河電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• "Ohmic Contacts to n-type GaN"

Cited by examiner (1)

• "Ohmic Contacts to n-type GaN"