Pat
J-GLOBAL ID:200903083937249657

パターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998110654
Publication number (International publication number):1999305437
Application date: Apr. 21, 1998
Publication date: Nov. 05, 1999
Summary:
【要約】【課題】 下地へのダメージを抑えてレジストのみを効率よく除去することの可能なパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を、レジスト膜中の溶解抑止基又は溶解抑止剤を分解する温度以上の温度に加熱する工程と、前記レジスト膜を、レジストを溶解する溶液に浸漬して、前記レジスト膜を除去する工程とを具備することを特徴とする。
Claim (excerpt):
被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を、レジスト膜中の溶解抑止基又は溶解抑止剤を分解する温度以上の温度に加熱する工程と、前記レジスト膜を、レジストを溶解する溶液に浸漬して、前記レジスト膜を除去する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 521 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027
FI (7):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 521 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 571 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/30 574
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page