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J-GLOBAL ID：200903084147802921

エピタキシャル薄膜の形成方法、半導体基板の製造方法、半導体素子、発光素子及び電子素子

Inventor：
藤岡 洋

About 藤岡 洋

, 
中野 貴之

About 中野 貴之


Applicant, Patent owner：
財団法人神奈川科学技術アカデミー

About 財団法人神奈川科学技術アカデミー


Agent (6)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008053562
Publication number (International publication number)：2008270749
Application date： Mar. 04, 2008
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：
【課題】装置コストが低く、形成される薄膜の結晶性が高くなるようなエピタキシャル薄膜の形成方法、半導体基板の製造方法、半導体素子、発光素子及び電子素子を提供すること。【解決手段】ターゲットをパルス電圧によって間欠的にスパッタし、基板上に金属原子を間欠的に供給することにより、安定した格子位置の金属窒化物を基板上に成長させることができる。これにより、結晶性の極めて良好な半導体薄膜を形成することができる。加えて、本実施形態の一連の製造工程はスパッタ装置によって行うことが可能であるため、装置コストを低く抑えることができる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
金属窒化物からなる薄膜の形成方法であって、 金属又は金属窒化物からなるターゲットを間欠的にスパッタし、 窒素雰囲気中に設けられた対象物上に前記スパッタされた金属原子を堆積させる ことを特徴とするエピタキシャル薄膜の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/203 ,  C23C 14/34
FI (2)：
H01L21/203 S ,  C23C14/34 S
F-Term (23)：
4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  5F103AA08 ,  5F103BB05 ,  5F103BB22 ,  5F103BB55 ,  5F103BB57 ,  5F103BB58 ,  5F103BB59 ,  5F103DD01 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103NN05 ,  5F103NN06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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