不純物イオン注入層の活性化法

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Applicant, Patent owner： , , , ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001090747
Publication number (International publication number)：2002289550
Application date： Mar. 27, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、SiC、ダイヤモンド、GaN等のワイドギャップ半導体への不純物イオン注入層の活性化を効率よく行い、実デバイスプロセスへの応用を可能にする手法を提供することである。【解決手段】本発明に係る不純物イオン注入層の活性化法は、所定の不純物元素をイオン注入によりドーピングした半導体材料に対して、その半導体材料のバンドギャップと同じか、またはそれよりも高いエネルギーのレーザ光を、その半導体材料を加熱した状態で照射するものである。さらに、照射するレーザ光のパワー密度を段階的に変化させながら照射することにより半導体材料の表面構成元素の蒸発を防ぎつつ、より深い位置に注入された不純物を電気的に活性化させるものである。

Claim (excerpt)：

不純物イオンを注入されたワイドギャップ半導体に対し、該半導体を加熱した状態において、該半導体材料のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを有するレーザ光を照射することにより該半導体を電気的に活性化することを特徴とする不純物イオン注入層の活性化方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 , H01L 21/265 602

FI (3)：

H01L 21/265 602 C , H01L 21/265 602 A , H01L 21/265 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平3-076168
特開平3-076169
半導体膜の結晶化方法、およびアクティブマトリクス基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-252775 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Cited by examiner (7)

特開平3-076168
半導体不純物の活性化方法、および活性化装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-338885 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平3-076168

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