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J-GLOBAL ID：200903084623212135

半導体発光装置およびその製造方法

Inventor：
井上 登美男

About 井上 登美男

, 
川原 久和

About 川原 久和


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002009718
Publication number (International publication number)：2003218401
Application date： Jan. 18, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体発光素子を小型化することなくさらに薄型とした半導体発光装置およびその製造方法の提供。【解決手段】 保持基板8に半導体発光素子4を挿入する座繰り穴5aを形成し、それぞれサブマウント素子3上に半導体発光素子4を搭載した複数の複合発光素子1をそれぞれの半導体発光素子4が座繰り穴5a内に配置されるように保持基板8へ実装し、座繰り穴5aへ透明樹脂6を充填して硬化させた後、保持基板8の複数の複合発光素子1間をダイシングし、このダイシング面を主光取り出し面とする。このような半導体発光装置では、半導体発光素子のサブマウント素子3上の搭載面すなわち半導体発光素子4の主発光面に対して垂直方向が主光取り出し面となるため、半導体発光素子4の主発光面のサイズに制限されない薄型の半導体発光装置が得られる。
Claim (excerpt)：
サブマウント素子上に半導体発光素子が搭載された複合発光素子と、前記半導体発光素子が挿入される穴が形成された保持基板とを備え、前記穴内に透明樹脂または蛍光体などの粉体を含有する樹脂が充填された半導体発光装置であって、前記樹脂は、前記半導体発光素子の前記サブマウント素子上の搭載面に対して垂直方向の面が露出し、この露出面が主光取り出し面である半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/28
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01L 23/28 K
F-Term (15)：
4M109AA01 ,  4M109CA02 ,  4M109GA01 ,  5F041AA23 ,  5F041AA47 ,  5F041DA02 ,  5F041DA20 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DC12 ,  5F041DC24 ,  5F041DC46 ,  5F041DC56 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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