ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた集積回路

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (10)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004338015
Publication number (International publication number)：2006147951
Application date： Nov. 22, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：

【課題】ショットキーバリアダイオード(SBD)の耐圧が低下することを防止すると共に、複数のSBDのそれぞれの電極に異なる電圧を印加できるようにして、高耐圧のSBD及び高耐圧のSBDが集積化されたコンパクトな集積回路を実現できるようにする。【解決手段】基板1の上には、厚さが100nmの窒化アルミニウムからなるバッファ層2と、厚さが1500nmのアンドープの窒化ガリウムからなる第1の半導体層3と、厚さが25nmのアンドープのアルミニウム窒化ガリウムからなる第2の半導体層4とが形成されている。第2の半導体層4の上には、ショットキー電極6とオーミック電極7とが間隔をおいて形成されている。ショットキーバリアダイオードの周縁部には、ショットキー電極6とオーミック電極7とを囲むように高抵抗領域5が設けられている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の上に順次形成された第1の半導体層及び第2の半導体層と、前記第1の半導体層及び第2の半導体層に形成され且つ前記第1の半導体層及び第2の半導体層からなる領域と比べて高抵抗である高抵抗領域と、前記第2の半導体層の上における前記高抵抗領域に囲まれた領域に互いに間隔をおいて形成されたショットキー電極及びオーミック電極を備えていることを特徴とするショットキーバリアダイオード。

IPC (4)：

H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (3)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D , H01L27/04 F

F-Term (21)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD39 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104EE18 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 4M104GG13 , 4M104HH20 , 5F038AV04 , 5F038CA02 , 5F038CA05 , 5F038CA06 , 5F038DF01 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

シヨットキバリアダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248737 Applicant：サンケン電気株式会社
GaN系半導体装置およびIII-V族窒化物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-013740 Applicant：古河電気工業株式会社
集積型ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-334087 Applicant：三洋電機株式会社

Show all

Cited by examiner (7)

集積型ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-334087 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭62-229974
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-157083 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page