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J-GLOBAL ID：200903084719308320

半導体装置のドライエッチング方法

Inventor：
池上 尚克

About 池上 尚克


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大西 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999245656
Publication number (International publication number)：2001077086
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：
【要約】【目的】 低誘電率層間絶縁膜である有機SOG膜を用いるビアホールのドライエッチングエッチングにおいて、有機SOG膜のエッチング速度を向上させ、かつ、ビアホールの形状が安定するようなドライエッチング条件を提供する。【構成】 低誘電率層間絶縁膜として有機SOG膜が用いられたビアホールのドライエッチングエッチングガスとしてC4F8及びO2とを少なくとも含む混合ガスを用い、 O2/(C4F8+O2)の混合比を50%以下にすることによってビアホールのドライエッチングをおこなう。その結果、有機SOG膜のエッチング速度が大きくなり、しかも、ビアホールの形状も安定する。
Claim (excerpt)：
有機SOG膜から成る絶縁膜に、C4F8及びO2とを少なくとも含む混合ガスによりコンタクトホールを形成する半導体装置のドライエッチング方法において、O2の流量はC4F8+O2の流量の50%以下であることを特徴とする半導体装置のドライエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 S
F-Term (38)：
5F004AA00 ,  5F004BA04 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA14 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033JJ19 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033WW06 ,  5F033XX14 ,  5F033XX23 ,  5F033XX27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-188623   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平2-077125
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-073465   Applicant：ソニー株式会社
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