Pat
J-GLOBAL ID:200903084719308320

半導体装置のドライエッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大西 健治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999245656
Publication number (International publication number):2001077086
Application date: Aug. 31, 1999
Publication date: Mar. 23, 2001
Summary:
【要約】【目的】 低誘電率層間絶縁膜である有機SOG膜を用いるビアホールのドライエッチングエッチングにおいて、有機SOG膜のエッチング速度を向上させ、かつ、ビアホールの形状が安定するようなドライエッチング条件を提供する。【構成】 低誘電率層間絶縁膜として有機SOG膜が用いられたビアホールのドライエッチングエッチングガスとしてC4F8及びO2とを少なくとも含む混合ガスを用い、 O2/(C4F8+O2)の混合比を50%以下にすることによってビアホールのドライエッチングをおこなう。その結果、有機SOG膜のエッチング速度が大きくなり、しかも、ビアホールの形状も安定する。
Claim (excerpt):
有機SOG膜から成る絶縁膜に、C4F8及びO2とを少なくとも含む混合ガスによりコンタクトホールを形成する半導体装置のドライエッチング方法において、O2の流量はC4F8+O2の流量の50%以下であることを特徴とする半導体装置のドライエッチング方法。
IPC (3):
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768
FI (4):
H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 S
F-Term (38):
5F004AA00 ,  5F004BA04 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA14 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033JJ19 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033WW06 ,  5F033XX14 ,  5F033XX23 ,  5F033XX27
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-188623   Applicant:ソニー株式会社
  • 特開平2-077125
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-073465   Applicant:ソニー株式会社
Show all

Return to Previous Page