誘導結合型HDP-CVDリアクター

Inventor： , , , , , , , , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997222932
Publication number (International publication number)：1998116826
Application date： Jul. 15, 1997
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】製造のスループットを向上させることができるとともに波長依存性の低減されたブラックマスクを提供する。【解決手段】本ブラックマスクは、透明基板2上に形成され、可視光を透過させる金属酸化物又は金属酸化物の混合物若しくは混晶からなる第1反射防止膜3と、第1反射防止膜3上に形成され、第1反射防止膜3に使用する金属と異なる金属の酸化物、炭化物、窒化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、及び酸化窒化炭化物の少なくとも1種を含む第2反射防止膜4と、第2反射防止膜4上に形成され、可視光を遮光する遮光膜5とを備える。

Claim (excerpt)：

(a)(i)側壁部と、(ii)前記側壁部の一方の端部に配設されたリッドと、(iii)前記側壁部の反対側の端部に配設された底部と、を有するチャンバ、(b)前記側壁部に片持ち式で取り付けられた基板支持部材、(c)前記側壁部及び前記リッドの1以上の部分を通って配設され、ガスをチャンバ内に入れるようにする1以上のガス入口部、(d)前記側壁部及び前記リッドの1以上の部分を通って配設され、1以上のクリーニングガスをチャンバ内に入れるようにする1以上のガス入口部、及び、前記チャンバの前記底部に配設された排気ポート、を備える基板を処理するための装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/31 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマ処理装置の制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-284211 Applicant：東京エレクトロン株式会社
ラジカルの制御方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-241487 Applicant：名古屋大学長
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-208008 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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