太陽電池およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008088453
Publication number (International publication number)：2009246025
Application date： Mar. 28, 2008
Publication date： Oct. 22, 2009
Summary：

【課題】従来のバルクシリコンを用いた太陽電池に比して変換効率を改善させることができる太陽電池を得ること。【解決手段】P型半導体層5とN型半導体層6とによって形成されるPN接合体4と、PN接合体4の一方の導電型の半導体層に形成される金属電極と、PN接合体4の他方の導電型の半導体層に形成される透明電極層7と、を備える光電変換素子が基板1上に形成された太陽電池において、金属電極は、表面プラズモン共鳴を生じる金属ナノ粒子からなる金属ナノ粒子層3によって形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

P型薄膜半導体層とN型薄膜半導体層とによって形成されるPN接合体と、PN接合体に形成される金属電極と、透明電極と、を備える光電変換素子が基板上に形成された太陽電池において、前記金属電極は、表面プラズモン共鳴を生じる金属ナノ粒子によって形成されることを特徴とする太陽電池。

IPC (6)：

H01L 31/04 , H01L 21/208 , B82B 1/00 , B82B 3/00 , H01L 21/28 , H01L 21/288

FI (7)：

H01L31/04 H , H01L21/208 Z , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L21/28 301R , H01L21/288 Z , H01L31/04 A

F-Term (22)：

4M104AA01 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104FF13 , 4M104GG05 , 5F051BA12 , 5F051BA13 , 5F051CB15 , 5F051CB19 , 5F051CB27 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F053AA50 , 5F053DD01 , 5F053FF02 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053LL05 , 5F053RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

マイクロ粒子層型の高効率太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-244445 Applicant：北村浩
光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-245874 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置及び微粒子半導体膜の製造方法及び光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-161779 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (7)

光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-245874 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置及び微粒子半導体膜の製造方法及び光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-161779 Applicant：株式会社東芝
マイクロ粒子層型の高効率太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-244445 Applicant：北村浩

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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