Pat
J-GLOBAL ID：200903085884382620

不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置

Inventor：
藤井 覚

About 藤井 覚

, 
高木 剛

About 高木 剛


Applicant, Patent owner：
パナソニック株式会社

About パナソニック株式会社


Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007312099
Publication number (International publication number)：2009135370
Application date： Dec. 03, 2007
Publication date： Jun. 18, 2009
Summary：
【課題】高速動作が可能で、しかも可逆的に安定した書き換え特性と、良好な抵抗値のリテンション特性を有する不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置を提供する。【解決手段】第1電極103と、第2電極105と、第1電極103と第2電極105との間に介在させ、両電極103,105間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層104とを備え、この抵抗変化層104は少なくともタンタルと異なる遷移金属酸化物層107とタンタル酸化物層106から構成され、遷移金属酸化物層107のタンタル酸化物層106に対する膜厚比が0.005以上であり1未満である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在させ、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、 前記抵抗変化層は、少なくともタンタルとは異なる遷移金属酸化物からなる第1の酸化物層とタンタル酸化物からなる第2の酸化物層とを含む積層構造からなり、前記第2の酸化物層が前記第1の酸化物層より厚く形成されている、不揮発性記憶素子。
IPC (4)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00
FI (4)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 A
F-Term (20)：
5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F083ZA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM