可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：政木良文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005209697
Publication number (International publication number)：2007027537
Application date： Jul. 20, 2005
Publication date： Feb. 01, 2007
Summary：

【課題】第1電極と第2電極の間に可変抵抗体を設けてなり、両電極間に電圧パルスを印加することにより電気抵抗が変化する可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置では、製造工程途中で存在する水素若しくは酸素の影響による可変抵抗体の還元反応若しくは酸化反応で、可変抵抗素子の抵抗値が変動してしまうので、抵抗値が揃った可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置を再現性良く安定に製造することができなかった。【解決手段】可変抵抗体の還元反応を促進する還元種、及び酸化反応を促進する酸化種の透過をブロックする作用を有する材料から構成される反応阻止膜を少なくとも1層有する構造としたので、可変抵抗素子の抵抗値の変動が抑制され、抵抗値のばらつきの少ないかつ制御性の良好な半導体記憶装置を再現性良く実現させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極と第2電極の間に可変抵抗体を設けてなり、前記第1電極と前記第2電極間に電圧パルスを印加することにより、前記第1電極と前記第2電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置において、少なくとも1層の反応阻止膜を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/10 , H01L 43/08 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (4)：

H01L27/10 451 , H01L43/08 M , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

F-Term (15)：

5F083FZ10 , 5F083GA25 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR34 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6204139号明細書

Cited by examiner (12)

抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-355896 Applicant：ソニー株式会社
RRAMメモリセル電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-332503 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-010253 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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