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J-GLOBAL ID：200903086040208671

アンチモン系量子ドットの形成方法

Inventor：
山本 直克

About 山本 直克

, 
赤羽 浩一

About 赤羽 浩一

, 
大谷 直毅

About 大谷 直毅


Applicant, Patent owner：
独立行政法人情報通信研究機構

About 独立行政法人情報通信研究機構


Agent (2)： 新保 斎 ,  渡邊 敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003273429
Publication number (International publication number)：2005033129
Application date： Jul. 11, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：
【課題】 アンチモン系量子ドットを化合物半導体の表面上に高面密度に形成する方法を提供すること。【解決手段】 化合物半導体表面上に、アンチサーファクタントを付着させ、次いで、アンチサーファクタントが付着した上記化合物半導体表面上に、アンチモン系量子ドットを成長させて形成する。とくに、真空状態において、化合物半導体を所定温度に加温し、アンチモン分子線およびアンチサーファクタント分子線を照射して、化合物半導体表面上にアンチサーファクタントを付着させ、次いで、アンチサーファクタントが付着した化合物半導体表面上に、アンチモン分子線およびアンチモン系量子ドットを構成するアンチモン以外の元素の分子線を照射してアンチモン系量子ドットを成長させて形成する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
化合物半導体表面上に、アンチサーファクタントを付着させ、次いで、アンチサーファクタントが付着した上記化合物半導体表面上に、アンチモン系量子ドットを成長させて形成することを特徴とするアンチモン系量子ドットの形成方法。
IPC (2)：
H01L29/06 ,  H01S5/343
FI (2)：
H01L29/06 601D ,  H01S5/343
F-Term (7)：
5F073AA75 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB06 ,  5F073DA06 ,  5F073EA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (2)
  • 単結晶薄膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-223785   Applicant：京セラ株式会社
  • 光半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-138557   Applicant：富士通株式会社
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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