半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：春日讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001008306
Publication number (International publication number)：2002217410
Application date： Jan. 16, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】高速で低電力な半導体装置を提供することにある。【解決手段】MOSトランジスタは、半導体基板101とゲート電極105aとの間に介在する酸化チタンゲート絶縁膜104aを有している。酸化チタンの主結晶構造はアナターゼ型である。半導体基板のチャンネル領域は、膜20によって引張ひずみ状態となっている。

Claim (excerpt)：

半導体基板とゲート電極との間に介在する酸化チタンゲート絶縁膜を有するMOSトランジスタが形成された半導体装置において、上記酸化チタンの主結晶構造がアナターゼ型であるとともに、上記半導体基板のチャンネル領域のひずみ状態が引張ひずみ状態になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 29/43

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/62 G

F-Term (30)：

4M104BB01 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB28 , 4M104BB33 , 4M104BB35 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD17 , 4M104EE03 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 5F040DA02 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC08 , 5F040EC09 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040EK05 , 5F040EL06 , 5F040EM10 , 5F040FA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-310662 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-329698 Applicant：株式会社東芝
特開昭55-022884

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