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J-GLOBAL ID:200903086234991814
赤外線検出素子及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994231054
Publication number (International publication number):1996097444
Application date: Sep. 27, 1994
Publication date: Apr. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 赤外線検出素子の熱絶縁膜の歪みまたは破壊を防止する。【構成】 表面側開口11aを備えた単結晶基板10と、表面側開口11aを覆って、その周辺部分が単結晶基板10に支持された熱絶縁膜12と、薄膜抵抗体14及び下部電極15及び上部電極16とを有し、表面側開口11b上方の熱絶縁膜12上に形成された赤外線検出部13とを備えた赤外線検出素子において、表面側開口11bの平面形状を鋭い角のない形状とする。【効果】 熱絶縁膜12の応力集中を緩和することができ、熱絶縁膜12の歪みまたは破壊を防止できる。
Claim (excerpt):
その表面に表面側開口を備えた基板部と、前記表面側開口を覆って、その周辺部分が前記基板部に支持された熱絶縁膜と、薄膜抵抗体及び一対の電極とを有し、前記表面側開口上方の前記熱絶縁膜上に形成された赤外線検出部とを備えた赤外線検出素子において、前記表面側開口の平面形状を鋭い角のない形状とすることを特徴とする赤外線検出素子。
IPC (5):
H01L 31/02
, G01J 1/02
, G01J 5/02
, G01J 5/20
, H01C 7/04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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赤外線検知装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-307807
Applicant:三菱電機株式会社
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特開平1-094227
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特開昭62-162930
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-072770
Applicant:シチズン時計株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-037629
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-325041
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-360025
Applicant:新日本製鐵株式会社
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冷陰極電子銃の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-360994
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-353666
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-184038
Applicant:三菱電機株式会社
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