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J-GLOBAL ID：200903086561292822

薄膜形成方法及び薄膜形成装置

Inventor：
神力 博

About 神力 博

, 
松本 賢治

About 松本 賢治

, 
辰巳 徹

About 辰巳 徹


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社

, 
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000188821
Publication number (International publication number)：2002008995
Application date： Jun. 23, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 薄膜の良好な組成と膜厚均一性を確保し、成膜速度を増大させる。【解決手段】 MOCVD装置の反応炉8内に、基板10の表面に対して有機金属ガスを均一な密度で供給するための複数の噴出孔と、酸化性ガスを均一な密度で供給するための複数の噴出孔とを備えたシャワーヘッド9を設ける。このシャワーヘッド9の基板側表面近傍に、有機金属ガスが熱分解する温度よりも高く、かつ成膜温度よりも低い温度に内部加熱するヒータを設ける。
Claim (excerpt)：
有機金属化合物の熱分解反応を利用する化学気相成長法により金属元素を含む薄膜を基板上に形成する薄膜形成方法において、基板表面に対して有機金属ガスを均一な密度で供給するためのガス供給手段の基板側表面近傍を、有機金属ガスが熱分解する温度よりも高く、かつ成膜温度よりも低い温度に内部加熱することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455
FI (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455
F-Term (20)：
4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE15 ,  5F045AE19 ,  5F045BB01 ,  5F045BB09 ,  5F045DA61 ,  5F045EC09 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EF05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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