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J-GLOBAL ID：200903087253016888

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
粟野 祐二

About 粟野 祐二


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 北野 好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002136708
Publication number (International publication number)：2003332504
Application date： May. 13, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】 大幅なコストアップを招くことなく、良好な放熱特性を実現し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に形成された絶縁膜30a〜30fと、絶縁膜に埋め込まれた熱伝導体42とを有し、熱伝導体は、炭素元素から構成される線状構造体40より成る。熱伝導体の材料として、極めて熱伝導率が高い材料である炭素元素から構成される線状構造体が用いられているため、トランジスタ24a、24b等の半導体素子等において発生する熱を効果的に放熱することができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に埋め込まれた熱伝導体とを有し、前記熱伝導体は、炭素元素から構成される線状構造体より成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 23/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/38
FI (6)：
H01L 21/205 ,  H01L 23/38 ,  H01L 23/36 D ,  H01L 23/36 Z ,  H01L 23/36 M ,  H01L 21/90 Z
F-Term (14)：
5F033QQ88 ,  5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21 ,  5F045AA03 ,  5F045AB07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045AF14 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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