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J-GLOBAL ID：200903087363567901

半導体式ガス検知素子及びその製造方法

Inventor：
中村 俊一

About 中村 俊一

, 
前川 亨

About 前川 亨

, 
鈴木 健吾

About 鈴木 健吾


Applicant, Patent owner：
新コスモス電機株式会社

About 新コスモス電機株式会社


Agent (3)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也 ,  太田 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005099028
Publication number (International publication number)：2006275950
Application date： Mar. 30, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：
【課題】 被検知ガスに対して応答時間及び応答復帰時間が短い半導体式ガス検知素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属酸化物半導体を主成分とするガス感応部2を備える半導体式ガス検知素子1であって、前記ガス感応部2のガスを検知する側の表面と内部とに亘る孔部を有し、当該孔部が前記表面における溝状の開口部に連通している。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
金属酸化物半導体を主成分とするガス感応部を備える半導体式ガス検知素子であって、 前記ガス感応部のガスを検知する側の表面と内部とに亘る孔部を有し、当該孔部が前記表面における溝状の開口部に連通している半導体式ガス検知素子。
IPC (1)：
G01N 27/12
FI (2)：
G01N27/12 B ,  G01N27/12 C
F-Term (14)：
2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BC03 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046BE07 ,  2G046EA02 ,  2G046FB02 ,  2G046FE00 ,  2G046FE15 ,  2G046FE28 ,  2G046FE29 ,  2G046FE39 ,  2G046FE46
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特開平4-66857号公報
  • 半導体式ガス検知素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-089799   Applicant：新コスモス電機株式会社
Cited by examiner (17)
  • 特開昭59-119253
  • 特開昭59-119253
  • 特開昭59-044801
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