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J-GLOBAL ID：200903087927720748

半導体装置の製造方法

Inventor：
角 ▲博▼文

About 角 ▲博▼文


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995069015
Publication number (International publication number)：1996264483
Application date： Mar. 28, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】 浅い不純物拡散層上に選択的に形成する遷移金属シリサイド層を、平滑かつ低シート抵抗に形成する。【構成】 不純物拡散層6上の自然酸化膜を、高密度プラズマエッチング装置により、低基板バイアスでソフトエッチングする。この後、連続的に遷移金属層7を形成し、熱処理を施すことにより、不純物拡散層6上に遷移金属シリサイド層8を選択的に形成する。自然酸化膜除去後、不純物拡散層表面を非晶質化してもよい。【効果】 不純物拡散層6上の自然酸化膜は均一に除去され、不純物拡散層表面に結晶欠陥等のダメージや面粗れが発生することがない。このため、シリサイド化反応において結晶粒の凝集がなく、平滑で低抵抗な遷移金属シリサイド層8が形成できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板の少なくとも不純物拡散層上に、遷移金属層を形成する工程、熱処理を施し前記不純物拡散層上に自己整合的に遷移金属シリサイド層を形成する工程、前記不純物拡散層上以外の遷移金属層を除去する工程を具備する半導体装置の製造方法であって、前記遷移金属層を形成する工程の前に、前記不純物拡散層上の自然酸化膜を、1×1011/cm3 以上1×1014/cm3 未満のプラズマ密度が得られるプラズマエッチング装置により除去し、連続的に前記遷移金属層を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-247433   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 特開平4-147969
  • 特開平4-147969
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