シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998153621
Publication number (International publication number)：1999330042
Application date： May. 18, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】非常に高感度でシリコンウエーハ鏡面面取り部のキズやカケ、ポリシリコン残留等の表面異常を検出出来るシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法を提供する。【解決手段】鏡面面取りしたシリコンウエーハをアルカリエッチングし、顕微鏡にて該鏡面面取り部を観察することを特徴とするシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法。

Claim (excerpt)：

鏡面面取りしたシリコンウエーハをアルカリエッチングし、顕微鏡にて該鏡面面取り部を観察することを特徴とするシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 , H01L 21/66

FI (3)：

H01L 21/306 Z , H01L 21/66 L , H01L 21/66 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-212433
半導体ウェーハの面取り部研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-030157 Applicant：住友シチックス株式会社
鏡面ウエーハ並びにその製造方法及び検査方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-061186 Applicant：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社

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