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J-GLOBAL ID：200903088033971052

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器

Inventor： 川瀬 健夫 ,  原田 光明 ,  木村 里至 ,  降旗 栄道
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (2)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003390001
Publication number (International publication number)：2005150640
Application date： Nov. 19, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：

【課題】特性に優れる薄膜トランジスタを、簡易な方法で製造することができる薄膜トランジスタの製造方法、かかる薄膜トランジスタの製造方法により製造される薄膜トランジスタ、および、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板2上に、ソース電極3とドレイン電極4とを、無電解メッキにより形成する第1の工程と、少なくともソース電極3とドレイン電極4との間の領域に、塗布法を用いて、有機半導体層5を形成する第2の工程と、有機半導体層5上に、塗布法を用いて、ゲート絶縁層6を形成する第3の工程と、ゲート絶縁層6上の、ソース電極3とドレイン電極4との間の領域に重なるように、塗布法を用いて、ゲート電極7を形成する第4の工程とを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、ソース電極とドレイン電極とを、無電解メッキにより形成する第1の工程と、 少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域に、塗布法を用いて、有機半導体層を形成する第2の工程と、 前記有機半導体層上に、塗布法を用いて、ゲート絶縁層を形成する第3の工程と、 前記ゲート絶縁層上の、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域に重なるように、塗布法を用いて、ゲート電極を形成する第4の工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (8)：

H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/00

FI (9)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 E ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G

F-Term (44)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104DD64 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215748   Applicant：旭化成工業株式会社
• WO0147045
  
• WO0147043
  

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-119787   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 有機半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-259164   Applicant：コニカ株式会社
• 単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-344925   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-114588   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社