半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：早瀬憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998035731
Publication number (International publication number)：1999233882
Application date： Feb. 18, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来はアスペクト比の低減のためリッジ側と基板側の両方に低屈折率層を設けていたためリッジ部において幅方向に大きな屈折率差を生じて高次モードの発生を促していた。【解決手段】半導体基板側に配置したガイド層8aとクラッド層10aとの間に該クラッド層10aの屈折率nCLよりも低い屈折率nL を有する低屈折率層を設ける。【効果】上記低屈折率層9aによって光はバリア層6を境にして基板側にのみ拡がり、共振器長方向に伝播する光は半導体層の幅方向(y) ではリッジ部分とリッジ部の外側との屈折率差の影響を受けにくくなり高次モードの発生を防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、活性層を境にして対称にそれぞれ導電型の異なるガイド層とクラッド層とを備えたリッジ型あるいは埋込リッジ型の屈折率導波構造を有する半導体レーザにおいて、上記半導体基板側に配置したガイド層とクラッド層との間に該クラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有する低屈折率層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249719 Applicant：シャープ株式会社
特開平2-012885
特開平2-012885

半導体レーザエピタキシャル結晶積層体および半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-005221 Applicant：日本電信電話株式会社

半導体レーザ素子およびその自励発振強度の調整方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-220677 Applicant：シャープ株式会社

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-170281 Applicant：三洋電機株式会社

特開平3-044085

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042837 Applicant：株式会社日立製作所

特開平3-283694

リッジ型半導体光素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-222612 Applicant：古河電気工業株式会社

特開平2-012885

特開平3-044085

特開平3-283694

特開平2-012885

特開平3-044085

特開平3-283694

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体レーザ基礎と応用, 1989, 初版
半導体レーザ基礎と応用, 1989, 初版
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