GaN系結晶の製造方法および結晶成長用基材

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001123345
Publication number (International publication number)：2002319545
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 GaN結晶薄膜をGaN系結晶成長の出発結晶として用いることが可能なGaN系結晶の製造方法と、そのための結晶成長用基材を提供すること。【解決手段】溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ100μm以下のGaN系結晶薄膜(特にGaN結晶薄膜)1を、基板2上に接合し、該薄膜の一方の面1bをGaN系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にGaN系結晶を成長させる。

Claim (excerpt)：

単独の薄膜として形成された厚さ100μm以下のGaN系結晶薄膜が、基板上に接合され、該薄膜の一方の面がGaN系結晶を成長させるための出発面となっていることを特徴とする結晶成長用基材。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 21/208 , H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 B , H01L 21/208 D , H01L 33/00 C

F-Term (13)：

5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA63 , 5F041CA65 , 5F052KB06 , 5F053AA03 , 5F053BB27 , 5F053DD20 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053LL02 , 5F053RR03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体基板およびその作製方法および半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-172495 Applicant：株式会社リコー
窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-112052 Applicant：日立電線株式会社
化合物半導体バルク単結晶の成長方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-055936 Applicant：住友電気工業株式会社

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