低駆動電圧のIII族窒化物発光素子

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002155493
Publication number (International publication number)：2003037289
Application date： May. 29, 2002
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体発光素子、より詳細には、III族窒化物発光素子を提供する。【解決手段】改良された性能を有するIII族窒化物発光ダイオード。一実施形態において、発光素子は、基板、基板上に配置された核形成層、核形成層の上方に配置された欠陥低減構造、及び、欠陥低減構造の上方に配置されたn型III族窒化物半導体層を含む。n型層は、例えば、約1ミクロンよりも大きい厚み、及び、約1019cm-3に等しいか又はそれ以上のシリコンドーパント濃度を有する。別の実施形態において、発光素子は、不純物で均一にドーピングされるか、又は、活性領域と実質的に直角な方向に段階的に変化する濃度を有する不純物でドーピングされた少なくとも1つの障壁層を有するIII族窒化物半導体活性領域を含む。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に配置された核形成層と、前記核形成層の上方に配置された欠陥低減構造と、前記欠陥低減構造の上方に配置された、約1ミクロンに等しいか又はそれ以上の厚みと約1×1019cm-3に等しいか又はそれ以上のシリコンドーパント濃度とを有するn型III族窒化物半導体層と、を含むことを特徴とする発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

F-Term (37)：

5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041AA40 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA59 , 5F073AA74 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB17 , 5F073EA23 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-135288 Applicant：松下電器産業株式会社
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-082510 Applicant：三洋電機株式会社
発光ダイオ-ドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-154957 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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