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J-GLOBAL ID:200903088565168991

半導体発光装置及びその製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 敬一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000329570
Publication number (International publication number):2002134795
Application date: Oct. 27, 2000
Publication date: May. 10, 2002
Summary:
【要約】【課題】 照射光が明るく演色性の高い半導体発光装置を得る。【解決手段】 本発明による半導体発光装置は、一対の配線導体(3, 4)と、一対の配線導体(3, 4)の一方に固着された半導体発光素子(2)と、半導体発光素子(2)の上面に形成された電極(2a, 2b)と一対の配線導体(3, 4)とを電気的に接続するボンディングワイヤ(5, 6)と、半導体発光素子(2)、ボンディングワイヤ(5, 6)及び配線導体(3, 4)の端部を被覆する光透過性の封止樹脂(8)と、半導体発光素子(2)から照射される光を吸収して他の発光波長に変換し且つ半導体発光素子(2)を一対の配線導体(3, 4)の一方の端部に固着する蛍光バインダ層(10)とを備え、蛍光バインダ層(10)に含まれる蛍光体(18)は、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12:Cez,Prwで表され、0≦x≦0.5、0≦y≦0.5、0.001≦z≦0.5及び0.001≦w≦0.5である。
Claim (excerpt):
一対の配線導体と、該一対の配線導体の一方に固着された半導体発光素子と、該半導体発光素子の上面に形成された電極と前記一対の配線導体とを電気的に接続するボンディングワイヤと、前記半導体発光素子、ボンディングワイヤ及び配線導体の端部を被覆する光透過性の封止樹脂と、前記半導体発光素子から照射される光を吸収して他の発光波長に変換し且つ前記半導体発光素子を前記一対の配線導体の一方の端部に固着する蛍光バインダ層とを備える半導体発光装置において、前記蛍光バインダ層に含まれる蛍光体は、一般式が(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12:Cez,Prwで表され、0≦x≦0.5、0≦y≦0.5、0.001≦z≦0.5及び0.001≦w≦0.5であることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2):
H01L 33/00 ,  C09K 11/80 CPP
FI (2):
H01L 33/00 N ,  C09K 11/80 CPP
F-Term (16):
4H001CA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA31 ,  4H001XA39 ,  4H001XA68 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DA42 ,  5F041EE23 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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