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J-GLOBAL ID：200903088754789530

磁気抵抗効果膜およびそれを用いたメモリ

Inventor：
池田 貴司

About 池田 貴司


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001305067
Publication number (International publication number)：2003110166
Application date： Oct. 01, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】垂直磁化膜を用いかつ大きな磁気抵抗変化率を有する磁気抵抗効果膜を提供する。【解決手段】第1及び第2の磁性層52,56と、第1及び第2の磁性層52,56に挟まれた非磁性層54とを有する磁気抵抗効果膜において、第1及び第2の磁性層52,56の少なくとも一方を希土類金属とFeとCoとを主成分とするフェリ磁性層とし、非磁性層54とフェリ磁性層52,56との間に、Fe及びCoからなりかつフェリ磁性層52,56と交換結合している高スピン分極率磁性層53,55を形成する。
Claim (excerpt)：
第1及び第2の磁性層と、前記第1及び第2の磁性層に挟まれた非磁性層とを有する磁気抵抗効果膜において、前記第1及び第2の磁性層の少なくとも一方が希土類金属とFeとCoとを主成分とするフェリ磁性層であり、前記非磁性層と前記フェリ磁性層との間に、Fe及びCoからなりかつ前記フェリ磁性層と交換結合している高スピン分極率磁性層が形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (7)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (7)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447
F-Term (19)：
2G017AA10 ,  2G017AD54 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083LA03 ,  5F083LA18 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR00 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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