Pat
J-GLOBAL ID：200903088821486050

圧電体デバイス、液体吐出ヘッド、強誘電体デバイス及び電子機器並びにこれらの製造方法

Inventor：
樋口 天光

About 樋口 天光

, 
岩下 節也

About 岩下 節也

, 
宮澤 弘

About 宮澤 弘

, 
村井 正己

About 村井 正己

, 
角 浩二

About 角 浩二


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002346397
Publication number (International publication number)：2004179549
Application date： Nov. 28, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：
【課題】結晶配向が所望の向きに揃えられた圧電体膜又は強誘電体膜を備えた圧電体デバイス又は強誘電体デバイスを効率良く製造する方法を提供する。【解決手段】基板(11、52)の上に中間膜であるバッファ層(12、55)又は振動板(53)を形成し、前記中間膜上に下部電極(13、542)を形成し、前記下部電極上に強誘電体膜(24)又は圧電体膜(543)を形成し、前記強誘電体膜又は圧電体膜上に上部電極(25、541)を形成する。前記中間膜、下部電極又は圧電体膜を形成する工程の何れかは、それぞれ中間膜、下部電極又は圧電体膜の被形成面にイオンビームを照射する工程と、その上に中間膜、下部電極又は圧電体膜をエピタキシャル成長により形成工程と、を備えている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板の上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に圧電体膜を形成する工程と、前記圧電体膜上に上部電極を形成する工程とを備えた圧電体デバイスの製造方法であって、前記圧電体膜の形成前に当該圧電体膜の被形成面にイオンビームを照射する、圧電体デバイスの製造方法。
IPC (9)：
H01L41/22 ,  B41J2/16 ,  F04B9/00 ,  F04B43/04 ,  H01L27/105 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/24
FI (10)：
H01L41/22 Z ,  F04B9/00 B ,  F04B43/04 B ,  H01L27/10 444Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 D ,  B41J3/04 103H
F-Term (44)：
2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP25 ,  2C057AP27 ,  2C057AP31 ,  2C057AP34 ,  2C057AP52 ,  2C057AP58 ,  2C057AP61 ,  2C057AQ02 ,  2C057AQ06 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  3H075AA01 ,  3H075BB04 ,  3H075BB13 ,  3H075CC40 ,  3H075DB02 ,  3H077AA06 ,  3H077CC02 ,  3H077CC09 ,  3H077DD06 ,  3H077EE34 ,  3H077EE37 ,  3H077FF01 ,  3H077FF06 ,  3H077FF12 ,  3H077FF14 ,  3H077FF36 ,  5F083FR01 ,  5F083HA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA45 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083NA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM