Pat
J-GLOBAL ID:200903089129549773
結晶性半導体膜の作製方法、該結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法、該結晶性半導体膜を有する半導体装置の作製方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003305523
Publication number (International publication number):2005079209
Application date: Aug. 28, 2003
Publication date: Mar. 24, 2005
Summary:
【課題】 本発明は、結晶粒や結晶粒界の位置制御を行う結晶性半導体膜の新たな作製方法を提供することを課題とする。特に結晶粒の配向性が制御された結晶性半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 絶縁膜に形成される開口部の形成位置を制御し、開口部の底面に非晶質半導体膜の金属元素を形成し、開口部及び絶縁膜を覆うように非晶質半導体膜を形成し、金属元素により非晶質半導体膜の結晶化が早くなる、つまり低温で結晶化が開始する領域を種結晶領域として結晶性半導体膜を制御して形成することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
選択的に結晶化を促進する金属元素を形成し、
前記結晶化を促進する金属元素を覆って、非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより、結晶性半導体膜を形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
IPC (4):
H01L21/20
, H01L21/336
, H01L29/786
, H05B33/14
FI (4):
H01L21/20
, H05B33/14 A
, H01L29/78 627G
, H01L29/78 627Z
F-Term (78):
3K007AB17
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 5F052AA02
, 5F052AA11
, 5F052AA17
, 5F052AA24
, 5F052BA07
, 5F052BB01
, 5F052BB02
, 5F052BB04
, 5F052BB07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DA03
, 5F052DB02
, 5F052DB03
, 5F052DB07
, 5F052FA01
, 5F052GA02
, 5F052GB03
, 5F052GB05
, 5F052JA01
, 5F110AA01
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE04
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE45
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110FF31
, 5F110FF32
, 5F110FF35
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG16
, 5F110GG23
, 5F110GG25
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110NN02
, 5F110NN27
, 5F110NN71
, 5F110NN73
, 5F110NN78
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP23
, 5F110PP24
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110QQ11
, 5F110QQ28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
半導体装置の製造方法およびこの方法で得られる半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-101822
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-229120
Applicant:沖電気工業株式会社
-
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-329761
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
Cited by examiner (10)
-
結晶性半導体薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-122098
Applicant:シャープ株式会社
-
半導体膜、半導体装置及びこれらの作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-158582
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置および半導体の作製方法および半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-128920
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
電気光学装置及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-072631
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-262596
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-205748
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置の製造方法およびこの方法で得られる半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-101822
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-069673
Applicant:三洋電機株式会社
-
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-125909
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-132901
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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