半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996238795
Publication number (International publication number)：1998093139
Application date： Sep. 10, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】電流狭窄を施してしきい値電流が従来より低い、Nを含有するIII-V族化合物より構成される半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型SiC(0001)基板の、幅10μmのストライプ状の領域以外の部分にあらかじめアンドープSiC電流狭窄層102を1000Å積層する。その上にNを含有するIII-V族化合物より構成されるむダブルヘテロ構造を作製する。そうすることにより、電流狭窄が実現してしきい値電流が低下する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に1000Å以下の層厚に積層された絶縁層と、前記絶縁層を10μm以下の幅で除去した領域と、前記絶縁層を除去した領域の上に、Nを含むIIIーV族化合物より成るダブルヘテロ構造を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335255 Applicant：天野浩, 赤崎勇, パイオニア株式会社, 豊田合成株式会社
結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-039444 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-203057 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page