半導体光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994320240
Publication number (International publication number)：1996181386
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】高効率な短波長半導体光素子を実現する。【構成】 GaAs基板1上に例えばアンモニア雰囲気中で高温でアニールすることにより表面窒化層2を作製する。その後、有機金属気相成長法によりn-Al0.2Ga0.8N第1クラッド層3、GaN/Al0.2Ga0.8N多重量子井戸活性層4、p-Al0.2Ga0.8N第2クラッド層5、p-GaNコンタクト層6を連続的に形成する。続いてSiO2絶縁膜7を堆積して電流注入のためのストライプ状の開口をエッチングにより形成する。最後にアノード電極8、カソード電極9を形成する。この半導体レーザのGaAs基板1からGaNコンタクト層6まではすべて閃亜鉛鉱型結晶により構成されている。【効果】閃亜鉛鉱型GaN系材料では量子効果や2軸性歪等を制御することによりホールの状態密度を大きく低減させることが可能となり、発光素子の効率を格段に向上させることができる。

Claim (excerpt)：

AlGaInN系化合物半導体から成る発光素子において、少なくとも活性層が閃亜鉛鉱構造であることを特徴とする半導体光素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 29/06 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化物半導体結晶の成長方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-316315 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-253740 Applicant：シャープ株式会社
積層半導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-348400 Applicant：シャープ株式会社

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