研磨スラリー、基板の研磨装置及び基板の研磨方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997332552
Publication number (International publication number)：1999165253
Application date： Dec. 03, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】埋め込み配線が密集している領域に生じるエロージョン、及び埋め込み配線の配線幅が広い領域に生じるディッシングを抑制して、埋め込み配線の表面高さを均一化する。【解決手段】絶縁膜31に細幅の配線用凹状溝41及び広幅の配線用凹状溝42を形成した後、絶縁膜31の上にバリア層32及び銅膜33を堆積し、その後、銅膜33をリフローする。研磨パッド上に、銅イオンを含有する研磨スラリーを供給しながら銅膜33に対して化学機械研磨を行なう。その後、銅膜33に対する化学機械研磨を続けながら、銅膜33に負の電圧を印加して、銅膜33の表面に銅のメッキ層43を形成することにより、細幅の配線用凹状溝41及び広幅の配線用凹状溝42に堆積されている銅膜33の表面高さと絶縁膜31の凸部31aの表面高さとをほぼ等しくする。

Claim (excerpt)：

金属膜を化学機械研磨法によって研磨する際に用いられる研磨スラリーであって、前記金属膜を構成する金属と同種の金属のイオンが含有されていることを特徴とする研磨スラリー。

IPC (2)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 321

FI (3)：

B24B 37/00 H , B24B 37/00 K , H01L 21/304 321 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

研磨液および研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-266643 Applicant：日本電気株式会社
特開平1-207929
研磨装置及び研磨方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-270440 Applicant：富士通株式会社

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Cited by examiner (8)

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