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J-GLOBAL ID：200903089398688453

半導体結晶の欠陥評価方法及び評価装置

Inventor：
田島 道夫

About 田島 道夫


Applicant, Patent owner：
独立行政法人 宇宙航空研究開発機構

About 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構


Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007219745
Publication number (International publication number)：2009054771
Application date： Aug. 27, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：
【課題】ワイドギャップ半導体で構成される半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を高速で非破壊的に高精度で評価する方法を提供する。【解決手段】半導体試料に光を照射して、半導体試料によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び、放出されたフォトルミネッセンス光を観察して、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を得る工程を含み、半導体試料を構成する半導体が、ワイドギャップ半導体であり、半導体試料に照射する光が、ワイドギャップ半導体のバンドギャップに対応するエネルギーよりも小さいエネルギーを有する、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を評価する方法。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を評価する方法であって、 前記半導体試料に光を照射して、該半導体試料によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び、 放出されたフォトルミネッセンス光を観察して、前記半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を得る工程、 を含み、 前記半導体試料を構成する半導体が、ワイドギャップ半導体であり、 前記半導体試料に照射する光が、前記ワイドギャップ半導体のバンドギャップに対応するエネルギーよりも小さいエネルギーを有する、 ことを特徴とする、前記評価方法。
IPC (3)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/64 ,  G01N 21/00
FI (3)：
H01L21/66 N ,  G01N21/64 Z ,  G01N21/00 B
F-Term (24)：
2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043GA02 ,  2G043GB28 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA03 ,  2G043MA01 ,  2G059AA03 ,  2G059BB16 ,  2G059EE07 ,  2G059FF01 ,  2G059GG01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ02 ,  2G059KK04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

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