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J-GLOBAL ID：200903089440099757

金属-セラミックス回路基板およびその製造方法

Inventor：
塚口 信芳

About 塚口 信芳

, 
小坂 満弘

About 小坂 満弘


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (1)： 大川 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003154343
Publication number (International publication number)：2004356502
Application date： May. 30, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：
【課題】金属回路が純粋なアルミニウムからなる場合だけでなくアルミニウム合金からなる場合や、アルミニウム合金のろう材を介してアルミニウム板をセラミックス基板に接合して金属回路を形成する場合にも、金属回路パターンの周縁の波打ち幅が小さく且つスカート長さのばらつきが小さい金属-セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板10の少なくとも一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属層12を形成し、この金属層12上に所定の形状のレジスト14を形成した後、塩化第二鉄と水と混合して且つ酸を添加しないで調製された混合液からなるエッチング液によって金属層12の不要部分をエッチングして除去することにより、セラミックス基板10の少なくとも一方の面に金属回路12を形成する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属回路が形成された金属-セラミックス回路基板の製造方法において、セラミックス基板の少なくとも一方の面に主成分としてアルミニウムを含む金属層を形成し、この金属層上に所定の形状のレジストを形成した後、酸を添加することなく塩化第二鉄と水を混合した混合液からなるエッチング液によって前記金属層の不要部分をエッチングして除去することにより、セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属回路を形成することを特徴とする、金属-セラミックス回路基板の製造方法。
IPC (2)：
H05K3/06 ,  H01L23/13
FI (3)：
H05K3/06 M ,  H05K3/06 A ,  H01L23/12 C
F-Term (13)：
5E339AB06 ,  5E339AD01 ,  5E339BC03 ,  5E339BD06 ,  5E339BD11 ,  5E339BE13 ,  5E339BE17 ,  5E339CC02 ,  5E339CD01 ,  5E339CE13 ,  5E339CE18 ,  5E339CG04 ,  5E339GG02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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