強誘電体膜、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004287087
Publication number (International publication number)：2005159308
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】 1T1C、2T2C、および単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタを含む、1T1C、2T2Cおよび単純マトリクス型強誘電体メモリを提供する。【解決手段】本発明に係る強誘電体膜101は, A1-bB1-aXaO3の一般式で示され、 Aは、Pbを含み、 Bは、ZrおよびTiのうちの少なくとも一つからなり、 Xは、V、Nb、Ta、Cr、Mo、およびWのうちの少なくとも一つからなり、 aは、0.05≦a≦0.3の範囲であり、 bは,0.025≦b≦0.15の範囲である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

A1-bB1-aXaO3の一般式で示され、 Aは、Pbを含み、 Bは、ZrおよびTiのうちの少なくとも一つからなり、 Xは、V、Nb、Ta、Cr、Mo、およびWのうちの少なくとも一つからなり、 aは、0.05≦a≦0.3の範囲であり、 bは、0.025≦b≦0.15の範囲である、強誘電体膜。

IPC (2)：

H01L27/105 , H01L21/316

FI (3)：

H01L27/10 444B , H01L21/316 G , H01L27/10 444Z

F-Term (19)：

5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC05 , 5F058BD05 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F058BJ04 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA56 , 5F083PR23 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

強誘電体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-267274 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (10)

積層薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-106776 Applicant：ティーディーケイ株式会社
電子デバイスおよびインクジェットプリンタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-084326 Applicant：セイコーエプソン株式会社
電子部品及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-031658 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

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