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J-GLOBAL ID：200903089711774463

半導体光素子

Inventor： 花巻 吉彦 ,  小野 健一 ,  鴫原 君男 ,  川崎 和重 ,  柴田 公隆 ,  島田 尚往
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (2)： 高田 守 ,  高橋 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005059595
Publication number (International publication number)：2006245341
Application date： Mar. 03, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】 活性層への不純物の混入を防いで、高出力化させ、動作の信頼性を向上させることができる半導体光素子を得る。【解決手段】 n型GaAs基板上に、n型GaAsバッファー層、n型AlGaInPクラッド層、不純物を添加していない第1のInGaAsP(As組成ゼロも含む)ガイド層、InGaAsP(In組成ゼロも含む)活性層、不純物を添加していない第2のInGaAsP(As組成ゼロも含む)ガイド層、p型AlGaInPクラッド層、p型不連続緩和層、p型GaAsコンタクト層を順に積層した構造を有する半導体光素子であって、p型GaAsコンタクト層、p型不連続緩和層、及びp型AlGaInPクラッド層のp型不純物としてC又はMgを用いる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

n型GaAs基板上に、n型GaAsバッファー層、n型AlGaInPクラッド層、不純物を添加していない第1のInGaAsP(As組成ゼロも含む)ガイド層、InGaAsP(In組成ゼロも含む)活性層、不純物を添加していない第2のInGaAsP(As組成ゼロも含む)ガイド層、p型AlGaInPクラッド層、p型不連続緩和層、p型GaAsコンタクト層を順に積層した構造を有する半導体光素子であって、 前記p型GaAsコンタクト層、前記p型不連続緩和層、及び前記p型AlGaInPクラッド層のp型不純物としてC又はMgを用いたことを特徴とする半導体光素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/22

FI (2)：

H01S5/343 ,  H01S5/22

F-Term (11)：

5F173AA08 ,  5F173AF58 ,  5F173AF78 ,  5F173AG11 ,  5F173AG20 ,  5F173AH08 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ13 ,  5F173AP05 ,  5F173AR96

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-204076   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-353178   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-276127   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-178298   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-091435   Applicant：富士写真フイルム株式会社