半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：河宮治 , 石野正弘 , 稲葉和久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003276127
Publication number (International publication number)：2004207682
Application date： Jul. 17, 2003
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：

【課題】高濃度にドーピングしたp型GaAs層のp型ドーパントが活性層へ拡散することを防止しまたは抑制して、高キャリア濃度のコンタクト層を得る。その結果、素子抵抗を低減した、高出力・高効率の半導体レーザ素子を得る。【解決手段】半導体レーザ素子は、活性層3と、p型クラッド層2と、p型キャップ層1とが順に積層されている。p型キャップ層1bは、p型ドーパントおよびn型ドーパントの両方を含む。またはp型キャップ層は、第1のp型ドーパントで形成された、活性層から遠い第1の層1a、および、第1のp型ドーパントよりも拡散係数の小さい第2のp型ドーパントで形成された、活性層に近い第2の層1bを備えている。またはp型キャップ層1eは、p型ドーパントとして炭素(C)が添加されている。これらの構成によれば、p型ドーパントが活性層およびp型クラッド層側に拡散するのを防止できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

活性層と、p型クラッド層と、p型キャップ層とが順に積層されている半導体レーザ素子であって、前記p型キャップ層は、p型ドーパントおよびn型ドーパントの両方を含む半導体レーザ素子。

IPC (3)：

H01S5/323 , H01L21/205 , H01L21/22

FI (3)：

H01S5/323 , H01L21/205 , H01L21/22 C

F-Term (13)：

5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AD09 , 5F045AF05 , 5F045CA12 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073BA05 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073CB10 , 5F073CB16 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-204076 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-203058 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-055711 Applicant：京セラ株式会社

Cited by examiner (7)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-227835 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-128347 Applicant：三洋電機株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-113666 Applicant：株式会社東芝

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