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J-GLOBAL ID：200903091763522521

エッチング方法

Inventor：
森川 泰宏

About 森川 泰宏

, 
林 俊雄

About 林 俊雄


Applicant, Patent owner：
株式会社アルバック

About 株式会社アルバック


Agent (2)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002226974
Publication number (International publication number)：2004071731
Application date： Aug. 05, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：
【課題】低誘電率絶縁膜の表面荒れを起こさないエッチング方法を提供する。【解決手段】本発明によれば、第一のエッチング工程でキャップ層16を除去するときに、低誘電率絶縁膜15の表面が荒れたとしても、第一のエッチング工程の後に、第二の反応ガスとしてハイドロフルオロカーボン(HFC)のガスを真空雰囲気中に導入し、100nm/分以下の速度でゆっくりエッチングを行うことで、低誘電率絶縁膜15の表面に薄膜が形成され、凹部が埋められる反応と、表面がエッチングされる反応とが同時に進行し、低誘電率絶縁膜15の表面が平坦化される。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
シロキサン結合の繰り返し単位を有し、少なくとも一つのシロキサン結合に有機官能基が結合した重合体で構成され、比誘電率が2.6以下の低誘電率絶縁膜と、 誘電材料を主成分とし、前記低誘電率絶縁膜表面に配置されたキャップ層とを有するエッチング対象物を真空雰囲気中に配置し、 二重結合を有するフルオロカーボンガスを主成分とする第一の反応ガスを、前記真空雰囲気中に導入し、該第一の反応ガスのプラズマを発生させ、前記キャップ層をエッチングし、前記低誘電率絶縁膜を露出させた後、 二重結合を有しないフルオロカーボンガスを主成分とする第二の反応ガスを、前記真空雰囲気中に導入し、前記第二の反応ガスのプラズマを発生させ、前記低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング方法。
IPC (2)：
H01L21/3065 ,  H01L21/768
FI (2)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/90 J
F-Term (22)：
5F004AA11 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA03 ,  5F004DB24 ,  5F004EB03 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033TT04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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