Pat
J-GLOBAL ID:200903089897515390
表示装置及びその作製方法、並びにテレビジョン装置
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005015070
Publication number (International publication number):2005244197
Application date: Jan. 24, 2005
Publication date: Sep. 08, 2005
Summary:
【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】 本発明の表示装置の作製方法の一は、撥液性領域を形成し、撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、親液性領域を形成し、親液性領域に、導電性材料を含む組成物を吐出しゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、半導体層上に、導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層又はドレイン電極層に接して画素電極層を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
撥液性物質及び親液性物質を有する絶縁表面上に設けられたゲート電極層を含む薄膜トランジスタを有し、
前記ゲート電極層は前記親液性物質の上に設けられており、
前記ゲート電極層のチャネル方向の幅は5μm以下であることを特徴とする表示装置。
IPC (9):
H01L21/336
, H01L21/288
, H01L29/41
, H01L29/423
, H01L29/49
, H01L29/786
, H01L51/00
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (11):
H01L29/78 627C
, H01L21/288 Z
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H01L29/78 617J
, H01L29/78 616K
, H01L29/78 612D
, H01L29/78 626C
, H01L29/28
, H01L29/58 G
, H01L29/44 L
F-Term (132):
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007GA00
, 4M104AA01
, 4M104AA02
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104BB36
, 4M104CC05
, 4M104DD06
, 4M104DD22
, 4M104DD28
, 4M104DD51
, 4M104DD68
, 4M104DD79
, 4M104DD80
, 4M104DD81
, 4M104EE01
, 4M104EE03
, 4M104EE12
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104EE18
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104HH09
, 4M104HH12
, 4M104HH20
, 5F110AA16
, 5F110AA28
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110CC08
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD17
, 5F110DD25
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE27
, 5F110EE38
, 5F110EE42
, 5F110EE47
, 5F110EE48
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF07
, 5F110FF10
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG33
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK08
, 5F110HK09
, 5F110HK32
, 5F110HK39
, 5F110HK41
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL07
, 5F110HL14
, 5F110HL23
, 5F110HL27
, 5F110NN02
, 5F110NN13
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN40
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110PP01
, 5F110PP03
, 5F110PP06
, 5F110PP24
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ01
, 5F110QQ12
, 5F110QQ19
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (9)
-
デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-119963
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
カラー液晶表示装置における電極基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-037292
Applicant:大日本印刷株式会社
-
半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-356339
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
薄膜トランジスタおよびかかるトランジスタを具える電子装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平11-532242
Applicant:コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
-
特開平4-242724
-
特開平4-242724
-
半導体装置と半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-183362
Applicant:松下電器産業株式会社
-
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-045573
Applicant:コニカミノルタホールディングス株式会社
-
デバイス、その製造方法及び電子装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-119967
Applicant:セイコーエプソン株式会社
Show all
Return to Previous Page