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J-GLOBAL ID：200903090667435433

金属配線形成方法

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Inventor： 花田 修賢 ,  杉岡 幸次 ,  緑川 克美
Applicant, Patent owner： 独立行政法人理化学研究所
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006214473
Publication number (International publication number)：2008041938
Application date： Aug. 07, 2006
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：

【課題】簡単な処理工程であり、かつ、少ない工程数により金属配線を形成することができ、絶縁体に対して高い密着性を有する金属配線を形成することを可能にした金属配線形成方法を提供する。【解決手段】絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法において、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、前記レーザー光の波長に対して透明かつ銀イオンを含有する絶縁体の表面に照射し、該照射領域において銀イオンを銀原子に還元して該照射領域に銀原子を生成し、前記レーザー光を照射されて該照射領域に銀原子が生成された前記絶縁体を所定の温度に維持した無電解めっき液に所定時間浸し、該銀原子を触媒核として金属を析出させることにより前記絶縁体に金属膜を堆積して金属配線を形成するようにした。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法において、 レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、前記レーザー光の波長に対して透明かつ銀イオンを含有する絶縁体の表面に照射し、該照射領域において銀イオンを銀原子に還元して該照射領域に銀原子を生成し、 前記レーザー光を照射されて該照射領域に銀原子が生成された前記絶縁体を所定の温度に維持した無電解めっき液に所定時間浸し、該銀原子を触媒核として金属を析出させることにより前記絶縁体に金属膜を堆積して金属配線を形成する ことを特徴とする金属配線形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/38 ,  H05K 3/10 ,  H05K 3/18

FI (6)：

H01L21/288 E ,  H01L21/28 A ,  C23C18/18 ,  C23C18/38 ,  H05K3/10 C ,  H05K3/18 B

F-Term (19)：

4K022AA03 ,  4K022AA33 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022CA06 ,  4K022CA12 ,  4K022DA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104DD22 ,  4M104DD53 ,  4M104HH09 ,  5E343AA26 ,  5E343BB25 ,  5E343CC72 ,  5E343EE42 ,  5E343GG11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-134988
  
• 特開昭62-136897
  
• 透明材料内部の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-015968   Applicant：HOYACANDEOOPTRONICS株式会社
• 金属配線形成方法および金属配線形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-013634   Applicant：独立行政法人理化学研究所