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J-GLOBAL ID：200903091495862098

窒化物LED素子の製造方法

Inventor： 金 成珍 ,  谷口 浩一 ,  中井 輝久 ,  岡川 広明 ,  工藤 広光
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007089917
Publication number (International publication number)：2008251753
Application date： Mar. 29, 2007
Publication date： Oct. 16, 2008
Summary：

【課題】半導体ウェハを分断する前に基板の裏面をエッチング加工して凹凸面とする工程を有しながら、その後の工程で、半導体ウェハを歩留りよくチップ状に分断することのできる、窒化物LED素子の製造方法を提供すること。【解決手段】(A)一方の面が鏡面である透光性の基板と、該基板の他方の面上に形成され発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層と、を少なくとも含む、半導体ウェハを準備する工程と、(B)上記基板の一方の面上に、分断予定ライン上の領域を保護するための保護膜を部分的に形成する工程と、(C)上記基板の一方の面上の上記保護膜で覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とする工程と、を有する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

(A)一方の面が鏡面である透光性の基板と、該基板の他方の面上に形成され発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層と、を少なくとも含む、半導体ウェハを準備する工程と、 (B)上記基板の一方の面上に、分断予定ライン上の領域を保護するための保護膜を部分的に形成する工程と、 (C)上記基板の一方の面上の上記保護膜で覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とする工程と、 を有する窒化物LED素子の製造方法。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (6)：

5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 基板表面処理方法及びIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-283902   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子製造方法および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-251468   Applicant：学校法人名城大学
• 窒化物系半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-400017   Applicant：三菱電線工業株式会社
• LEDチップ、その製造方法および発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-317659   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体チップとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-180913   Applicant：株式会社東芝